专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]调制-CN201080067840.X无效
  • J.C.鲁丁;S.基特森;A.盖索 - 惠普发展公司;有限责任合伙企业
  • 2010-04-29 - 2013-02-27 - G02F1/17
  • 一种全色反射式显示器(112)的光调制,所述光调制包括:寻址(404);位于所述寻址(404)上面的反射镜(406),所述反射镜(406)被配置为反射预定波长带的光;以及位于所述反射镜(406)上面的电光(416),所述电光(416)被配置为响应于从所述寻址(404)的切换器件(204)接收的信号来吸收预定波长带的光。
  • 调制
  • [发明专利]空间光调制器及其制备方法-CN202111361844.5有效
  • 田立飞;李智勇 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-11-17 - 2022-11-08 - G02F1/1343
  • 本公开公开了一种空间光调制器,包括:绝缘调制(300);导电调制(400),设置于绝缘调制(300)上,并包括多个调制电极;电极(200),设置于绝缘调制(300)下,并包括多个与多个调制电极配合的配合电极;其中,绝缘调制(300)、导电调制(400)的调制电极和电极(200)的配合电极形成多个像素单元,通过改变施加在每个像素单元的调制电极和配合电极的电压,使得像素单元所在的导电调制(400)的载流子积累到导电调制(400)和绝缘调制(300)的界面处,从而调制像素单元所在的导电调制(400)的光学性质,从而实现像素单元的光调制功能,提高调制速度。
  • 空间调制器及其制备方法
  • [发明专利]空间光调制器及其制备方法-CN202310761342.4在审
  • 田立飞;李智勇 - 中国科学院半导体研究所
  • 2023-06-26 - 2023-10-20 - G02F1/015
  • 本公开提供一种空间光调制器及其制备方法,空间光调制器包括:绝缘调制;上导电调制,设置于绝缘调制表面,包括多个调制电极;下导电调制,设置于上导电调制上且与绝缘调制所在表面相对的表面,包括多个与多个调制电极配合的配合电极;一个调制电极和与该调制电极配合的一个配合电极形成一个像素单元,像素单元被配置为通过改变施加在像素单元的调制电极与配合电极之间的电压,控制上导电调制上像素单元所在区域的载流子积累到上导电调制和绝缘调制的界面处,以及下导电调制上像素单元所在区域的载流子积累到下导电调制和绝缘调制的界面处。该空间光调制器能够实现像素单元的光调制功能,提高调制速度。
  • 空间调制器及其制备方法
  • [发明专利]空间光调制器及其制备方法-CN202110658175.1有效
  • 田立飞;李智勇 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-06-11 - 2023-04-14 - G02F1/03
  • 本公开提供一种空间光调制器,包括:调制单元,包括依次设置的不同折射率的第一调制、第二调制和第三调制;所述第二调制的折射率与所述第一调制和第三调制不同,所述第一调制、第二调制和第三调制中至少一个调制设置有至少一个图形单元;电极单元,包括正电极和负电极,位于所述图形单元的间隙之中,所述电极单元能够调节所述电极单元所接触的调制所述第二调制的光学性质。同时本公开还提供一种空间光调制器的制备方法。
  • 空间调制器及其制备方法
  • [实用新型]电磁控空间光调制器、光源装置、激光垂准仪-CN202121570959.0有效
  • 吴志洋;郭素阳;高迎可;杨正凡;徐胜;刘玲玉 - 中交天和机械设备制造有限公司
  • 2021-07-12 - 2021-12-10 - G02F1/09
  • 本实用新型公开了一种电磁控空间光调制器、光源装置、激光垂准仪,电磁控空间光调制器包括透镜、导电、电调制、磁调制,透镜为直三棱柱,导电涂覆在通光区域所处的三棱柱的两个侧面的表面;电调制由拓扑半金属材料制成,电调制涂覆在导电表面,电调制的边缘还涂覆有电极,电极与导电分别与外部电源连接以形成电调制回路;磁调制由磁性半导体材料制成,磁调制涂覆在电调制表面,在外部磁场发生器的作用下,磁调制用于对激光光束进行磁调制本实用新型提供的技术方案利用电场和磁场改变拓扑半金属和磁性半导体材料中的载流子浓度,可以调控光场中不同空间位置的透过率,产生可主动调制的结构光场,调制速度快。
  • 电磁空间调制器光源装置激光垂准仪
  • [发明专利]使用相变材料的光学调制器及包括其的三维图像获取设备-CN201710650596.3有效
  • 罗炳勋;朴勇和 - 三星电子株式会社
  • 2017-08-02 - 2022-06-28 - G02F1/00
  • 提供了光学调制器和包括光学调制器的三维图像获取设备。光学调制器可以包括含相变材料的光学调制。第一电极可以被提供在光学调制的第一表面上。第二电极可以被提供在光学调制的第二表面上。第一相控制可以布置为面对光学调制,第一电极设置在第一相控制与光学调制之间。第二相控制可以布置为面对光学调制,第二电极设置在第二相控制与光学调制之间。第一相控制和第二相控制的每个可以具有对应于λ/4的奇数倍的光学厚度,其中λ是待被调制的入射光的目标波长。光学调制器还可以包括布置为面对光学调制的至少一个反射。光学调制可以具有约10nm以下的厚度。光学调制器的工作电压可以为约10V以下。
  • 使用相变材料光学调制器包括三维图像获取设备
  • [发明专利]空间光调制器及其制备方法-CN202011499623.X有效
  • 田立飞;李智勇 - 中国科学院半导体研究所
  • 2020-12-17 - 2022-12-23 - G02F1/01
  • 本发明公开了一种空间光调制器,包括:反射,用于对入射波进行反射;调制,设置在所述反射上,所述调制的光学性质可调节,包括像素调制单元;电极,设置在所述调制上,包括调制电极,所述调制电极设置在所述像素调制单元上,所述调制电极通过改变施加在所述像素调制单元的电压完成改变调制的光学性质,具有稳定性高,鲁棒性高,使用寿命长和调制速度高的特点。本发明还公开了一种空间光调制器的制备方法,通过采用调制电极通过改变像素调制单元的电压完成改变调制的光学性质,进而实现对光波的调制,相较于液晶空间光调制器,具有加工步骤少、加工难度低、成品率高,生产成本低的有益效果
  • 空间调制器及其制备方法
  • [发明专利]显示设备-CN202011409968.1在审
  • 金彰穆;李宽熙;郑智元;崔永瑞 - 三星显示有限公司
  • 2020-12-04 - 2021-06-11 - H01L27/32
  • 公开了一种显示设备,所述显示设备包括:基底;像素,位于基底上,包括多个显示器件;封装构件,封装像素;光调制,位于封装构件上;功能,位于光调制上;以及结合,定位在光调制与功能之间以结合光调制和功能,其中,光调制具有与多个显示器件对应的开口,并且其中,结合填充开口且具有比光调制的折射率大的折射率。
  • 显示设备
  • [发明专利]调制器和光调制器阵列-CN202210994237.0在审
  • 宫野广基;相马豪;福井太一郎;种村拓夫;野本佳朗 - 国立大学法人东京大学;浜松光子学株式会社
  • 2022-08-18 - 2023-04-07 - G02F1/03
  • 本发明提供光调制器和光调制器阵列,其中,光调制器(1A)包括:基体(10);在基体(10)上形成的金属反射(20);在反射(20)上形成的非线性光学晶体的调制(25);和导电图案(30),其包含在第1方向上周期性地排列并且按第2方向分别延伸的多个图案部(31),且在调制(25)上形成。调制(25)通过借由在反射(20)与导电图案(30)之间的电压的施加使得折射率发生变化而使对于对象光的反射率变化。光调制器(1A)将从调制(25)的上表面侧入射,通过调制(25)、在反射(20)反射后的对象光,作为通过反射率的变化调制了强度的调制光向外部出射。由此,能够实现能够高速地进行对象光的强度的调制并且在宽的波长区域使其适当地动作的光调制器。
  • 调制器阵列
  • [发明专利]调制介质和光调制方法-CN03150385.3有效
  • 原田阳雄;有沢宏 - 富士施乐株式会社
  • 2003-07-30 - 2004-07-07 - G02F1/1347
  • 一种光调制介质,其包含光调制单元,光调制单元具有一对基板和位于基板之间形成多层结构的多个光调制,光调制由响应于所施加的预定电场而改变电-光特性的胆甾型液晶构成,其中,所述光调制单元的第一光调制的液晶取向从平面状态转变为焦点圆锥曲线状态的阈值电场与第二光调制的比值不小于0.3,第一光调制的液晶取向处于平面状态时的介电常数与第二光调制的比值不小于4。
  • 调制介质方法

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